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光刻膠的重要性

在北京化工大學理學院院長聶俊眼里，我國雖然已成為世界半導體生產(chǎn)大國，但面板產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)業(yè)鏈仍較為落后。目前，上游電子化學品（LCD用光刻膠）幾乎全部依賴進口，必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎研究與產(chǎn)業(yè)化進程，才能支撐我國微電子產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展及國際“地位”的確立。

“假如我們把光刻機比作一把菜刀，那么光刻膠就好比是要切割的菜，沒有高質(zhì)量的菜，即使有了鋒利的菜刀，也無法做出一道佳肴。”日前，江蘇博硯電子科技有限公司技術(shù)部章宇軒在接受科技日報記者采訪時說。

光刻的工序

下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術(shù)、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(shù)（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術(shù)。

負性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發(fā)生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵態(tài)時引起的。對于有機物，基態(tài)與激勵態(tài)的能量差為3~6eV，相當于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵態(tài)。化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發(fā)生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后，因與物質(zhì)具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中，因此生成激勵狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學反應。