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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠
PR1-1000A1光刻膠光刻膠

5,顯影液

在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。

顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。

影響顯影的效果主要因素：

1，曝光時間，2前烘溫度和時間，3光刻膠膜厚，4顯影液濃度溫度，5顯影液的攪動情況。

PR1-1000A1

NR9-3000PY 負性光刻膠

負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現出一種倒梯形側壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢：

- 優異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質期長達3 年

Lift-Off工藝

應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 負性光刻膠

負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365

nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現出一種倒梯形側壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產地

 型號

 厚度

 曝光

 應用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區）凸點、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時形成光刻膠倒

     梯形結構

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     曝光

     對生產效率的影響：

     金屬和介電質圖案化

     時省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 0.7μm~2.1μm

 粘度增強

 NR9-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR71G-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

  負膠對  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR71G-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR71G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 粘度增強

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR9G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 品牌

 產地

 型號

 厚度

 耐熱溫度

 應用

 Futurrex

 美國

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm