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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠
PR1-1500A1光刻膠

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。

堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢：

- 優異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質期長達3 年

NR9-1000py

問題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據我所知，Futurrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？

A 美國光刻膠，Futurrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應用產品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS

silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請問，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國Futurrex

生產的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers

負性光刻膠簡介

感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W結構，光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限制分辨率（見感光材料）的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規模集成電路工藝的要求，必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。