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同步整流的損耗同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：■導通損耗■開關損耗■驅動損耗■反向恢復損耗■死區時間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導通損耗一般由功率拓撲和選用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導通損耗，開關損耗和驅動損耗Pgate存在一定的權衡關系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅動線路中，驅動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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東科的同步整流芯片享有極高的市場占有率，此前已經陸續進入了京造、摩米士、倍思、邦克仕等多個配件品牌快充供應鏈，并獲得客戶的高度認可和市場一直好評。東科DK218M的成功量產，意味著18WUSBPD快充領域又新增了一位強勁的選手，利用現有的快充供應鏈資源，可實現芯片到產品的迅速導入。值得一提的是，DK218M除了搭配自家同步整流芯片使用外，還可兼容友商同步整流方案，這也大大降低了芯片的使用門檻。
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半導體（semiconductor），指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體?？梢院唵蔚陌呀橛趯w和絕緣體之間的材料稱為半導體。