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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠

光刻膠分類

1、負性光刻膠

主要有聚酸系(聚酮膠)和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表，后者以OMR系列為代表。

2、正性光刻膠

主要以重氮醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基本材料。的有AZ-1350系列。正膠的主要優點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

3、負性電子束光刻膠

為含有環氧基、乙烯基或環硫化物的聚合物。 的是COP膠，典型特性:靈敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速電壓10KV時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。限制分辨率

的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。

4、正性電子束光刻膠

主要為甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。的是PMMA膠，典型特性:靈敏度40~ 80μC/cm^2 (加速電壓20KV時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。

PMMA膠的主要優點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低，此外在高溫下易流動，耐干法刻蝕性差。

為什么現在還有人使用負性膠

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區域將溶解，而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。

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光刻膠的作用有什么？

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。