半導體光刻膠 正負光刻膠品牌 負光阻光刻膠 Futurrex
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北京賽米萊德貿易有限公司

店齡6年 企業認證

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經營模式

生產加工

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商品參數
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商品介紹
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聯系方式
縱橫比 4.5
運輸方式 貨運及物流
聚焦補償 -15μm
可售賣地 全國
膜厚 54μm
耐溫 150度
掩模尺寸 12μm
報價方式 按實際訂單報價為準
曝光能量 1100 mJ/cm22
產品編號 12643885
商品介紹
北京賽米萊德貿易有限公司主營:光刻膠




下游發展趨勢

光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元,分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用,193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加


光刻膠國內研發現狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上,布局不合理、不完整,特別是生產加工環節的投資,而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前,整個產業是中間加工環節強,前后兩端弱,核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。

光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要,必須全部指標達到才能使用。因此,國外企業在配方、生產工藝技術等方面,對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展



光刻膠分類

光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負膠的曝光部分被保留。

賽米萊德以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產、銷售光刻膠,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。想要了解更多信息,趕快撥打圖片上的熱線電話!



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公司名稱 北京賽米萊德貿易有限公司
聯系賣家 況經理 (QQ:214539837)
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手機 祺祴祶祹祺祶祴祴祶祵祴
傳真 祹祺祹-祻祷祷祷祶祷祺祹
地址 北京市大興區