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“無廠半導體公司－晶圓代工模式”的概念是由Xilinx的伯尼·馮德施密特（BernieV.Vonderschmitt）和C&T的戈登·A.坎貝爾（GordonA.Campbell）所提出。好處很明顯了，負擔很輕，自己只管設計就行了，不用耗費巨資去興建晶圓廠、開發新工藝，但壞處同樣很突出：你設計出來了，能否造出來、即便造出來又是個什么樣子你就無法做主了，得看代工伙伴的能耐。這方面的教訓當然很多：臺積電40/28nm兩代工藝都很不成熟，產能也是遲遲上不來，讓整個行業為之拖累。GlobalFoundries32nm工藝沒有達到AMD的預期水平，代FX/APU處理器的頻率和電壓就跟設計得差很多，28nm工藝吹了那么久直到現在才剛剛上路，迫使AMD一度放棄了整整一代的低功耗APU，不得不重新設計再去找臺積電。
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光照能使共價電子獲得能量，脫離晶格原子的束縛，變成可以自由移動的電子和空穴。而電子和空穴都是構成電流的成分，因此光照可以使PN結產生電流。PN結光生電的特性使它能夠制備成雪崩二極管、PIN二極管，這些器件廣泛應用于光探測器、太陽能電池等領域電生光：反之，若在PN結兩端加以正向電壓，半導體中的電子和空穴就會在結處相遇之后消失（復合），并產生一束光子，前提是制造PN結的材料為直接帶隙半導體。PN結電生光的特性使它能制作成發光二極管（LED）、激光二極管（LD）等，廣泛應用于半導體照明、光通訊中的光源、3DSensing等領域直接帶隙半導體，是指這種材料中的電子和空穴復合時遵循動量守恒
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第二個時PN結的伏安特性：式中，Is在數值上等于反向飽和電流，Vt=KT/q，為溫度當量，在常溫下，Vt約等于26毫伏。的PN結的例子是二極管，二極管就是由PN結加上電極引線和外殼組成的。我們接著了解二極管的伏安特性。二極管的伏安特性和PN結的伏安特性基本相同，特點是1，正向特性，當正向電壓大于開啟電壓后，隨著正向電壓的增加，正向電流近似按指數規律增大，正向電阻很小，二極管可以看做是導通的，在伏安特性的這部分，電流在快速增大時，二極管的正向壓降變化很小。