

深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產品: 磁簧開關
光傳感器ic銷售電話-瑞泰威傳感IC-顏色傳感器ic定做工廠
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霍爾傳感器是目前使用廣泛的磁傳感器之一。它不僅可以用來測量磁場,還可用于測量電流、速度、位置、角度和轉速等物理量,在精密測量、工業自動化控制、汽車電子、家用電器等領域獲得廣泛應用。本課題是上海汽車工業科技發展會支持項目“相位傳感器的研究開發”的一部分,著重探討在研究開發霍爾相位傳感器組件過程中出現的理論性關鍵技術。
先簡要介紹了霍爾效應的基本原理,霍爾元件和霍爾集成電路的發展過程和近況。對Si雙極型霍爾開關集成電路的工作原理其中包括穩壓電路、放大電路和觸發電路等進行了認真的分析和,重點研究了溫度補償、電阻修調等關鍵技術,成功完成了霍爾開關集成電路在工作溫度范圍內(-40℃——+150℃)的溫度,并完成了Si雙極型霍爾開關集成電路的版圖設計。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內IC電子元器件的代理銷售企業,專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號。與國內外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩定合作,保證產品的品質和穩定供貨。自公司成立以來,飛速發展,產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業。
服務于IC產業的MEMS探卡
片級芯片測試在IC制造工藝中已經成為不可或缺的一部分,發揮著重要的作用,而測試探卡在圓片級芯片測試過程中起著關鍵的信號通路的作用。分析指出由于芯片管腳密度的不斷增加以及在高頻電路中應用的需要,傳統的組裝式探卡將不能適應未來的測試要求;和傳統探卡的組裝方法相比,MEMS技術顯然更適應當今的IC技術。綜述了針對MEMS探卡不同的應用前景所提出的多種技術方案,特別介紹了傳感技術國家重點實驗室為滿足IC圓片級測試的要求,針對管腳線排布型待測器件的新型過孔互連式懸臂梁芯片和針對管腳面排布型待測器件的Ni探針陣列結構的設計和制造。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內IC電子元器件的代理銷售企業,專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號。與國內外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩定合作,保證產品的品質和穩定供貨。自公司成立以來,飛速發展,產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業。
3GMR/超導復合式磁傳感器
磁電阻效應是對于一些磁性材料,當施加外磁場時,材料的電阻會發生變化的效應。這種磁電阻效應次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發現。這一發現的材料磁阻變化率很小,只有1%,此效應即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應。
1988 年,Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜,并在其中發現了磁阻變化率達到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應被稱為巨磁電阻(GMR)效應。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態下與磁場的作用不同導致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當鐵磁層的磁矩互相平行時,載流子與自旋有關的散射,材料具有的電阻。而當鐵磁層的磁矩為反平行時,載流子與自旋相關的散射強,材料的電阻。對于GMR效應可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中,不同自旋的電子能帶相同,但是在鐵磁金屬中,不同自旋的能帶發生劈裂,導致在費米能級處,自旋向上和向下的電子態密度不同。

在雙電流模型中,假設自旋向上和向下的電子沿層面流動對應兩個互相獨立的導電通道,其中自旋向上的電子,其平均自由程遠大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下,自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同;而在平行排列下,自旋向上的電子散射要遠小于自旋向下的電子,從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。
