pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析
pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析
pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析
pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析
pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析
pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析

pwm驅動mos管開關電路設計-pwm驅動mos管電路原理分析

價格

訂貨量(PCS)

面議

≥100

聯系人 林小姐 銷售

掃一掃添加商家

㠗㠘㠚㠓㠕㠖㠚㠕㠛㠛㠒

發貨地 廣東省深圳市
進入商鋪
掃碼查看

掃碼查看

手機掃碼 快速查看

在線客服

商品參數
|
商品介紹
|
聯系方式
型號 MOS
品牌 AOS
封裝 SOT-23
批號 20+
數量 1000000
商品介紹
pwm驅動mos管開關電路 MOS管開關電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關電路也主要分為兩種。本文為大家帶來三種pwm驅動mos管開關電路解析。 (一)常見pwm驅動mos管開關電路 只是單個MOS管的普通驅動方式像這種增強型NMOS管直接加一個電阻限流即可。由于MOS管內部有寄生電容有時候為了加速電容放電,會在限流電阻反向并聯一個二極管。 用于NMOS的驅動電路和用于pwm驅動mos管開關電路 針對NMOS驅動電路做一個簡單分析 Vl和Vh分別是低端和高端的電源,兩個電壓可以是相同的,但是Vl不應該超過Vh。 Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱,用來實現隔離,同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。 R2和R3提供了PWM電壓基準,通過改變這個基準,可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。 Q3和Q4用來提供驅動電流,由于導通的時候,Q3和Q4相對Vh和GND zui少都只有一個Vce的壓降,這個壓降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。 R5和R6是反饋電阻,用于對gate電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋,從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。 zui后,R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制,R4提供了對MOS管的gate電流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。 pwm驅動mos管這個電路提供了如下的特性: 1,用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。 2,用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。 3,gate電壓的峰值限制 4,輸入和輸出的電流限制 5,通過使用合適的電阻,可以達到很低的功耗。 6,PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來解決。 (二)pwm驅動mos管開關電路 pwm驅動mos管電路圖 pwm驅動mos管電路功能 當控制器輸出pwm驅動mos管開關電路PWM脈沖時,電磁閥工作;沒有輸出PWM時,電磁閥不工作。 pwm驅動mos管電路分解 整個電路根據光耦可分為兩部分 左邊為光耦輸入部分,也是整個電路pwm驅動mos管開關電路PWM信號的輸入部分;右邊為光耦輸出部分,也是電磁閥的驅動部分。 這兩部分通過光耦隔離,兩邊的地都不一樣。 pwm驅動mos管整個電路的工作過程 當光耦沒有pwm驅動mos管開關電路PWM信號輸入時,光耦發光二極管截止,光耦的光電晶體管也是截止狀態,Q1是一個NMOS,也處于截止狀態,電磁閥沒有電流,不工作。 當光耦有pwm驅動mos管開關電路PWM信號輸入時,光耦發光二極管導通,觸發光電晶體管也導通。24V電源經電阻R1,光電晶體管的CE極,電阻R3分壓使NMOS IRF540N的柵極為高電平,觸發MOS管導通,電磁閥線圈有電流流過,電磁閥觸發動作。 二極管D1為電磁閥的泄放二極管,防止NMOS被高壓損壞。電容C1起濾波作用,但同時也會增加MOS管的開關損耗。 注意: 在實際制作時,要注意電磁閥驅動這塊,要讓MOS管處于開關狀態,以免它發熱嚴重。
聯系方式
公司名稱 深圳市宏源世紀科技有限公司
聯系賣家 林小姐 (QQ:2885049146)
電話 㠖㠔㠓㠓-㠚㠚㠛㠖㠙㠖㠚㠓
手機 㠗㠘㠚㠓㠕㠖㠚㠕㠛㠛㠒
傳真 㠖㠔㠓㠓㠚㠚㠛㠖㠙㠖㠚㠓
地址 廣東省深圳市
聯系二維碼