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3GMR/超導復合式磁傳感器

磁電阻效應是對于一些磁性材料，當施加外磁場時，材料的電阻會發生變化的效應。這種磁電阻效應次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發現。這一發現的材料磁阻變化率很小，只有1%，此效應即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜，并在其中發現了磁阻變化率達到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應被稱為巨磁電阻(GMR)效應。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態下與磁場的作用不同導致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當鐵磁層的磁矩互相平行時，載流子與自旋有關的散射，材料具有的電阻。而當鐵磁層的磁矩為反平行時，載流子與自旋相關的散射強，材料的電阻。對于GMR效應可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中，不同自旋的電子能帶相同，但是在鐵磁金屬中，不同自旋的能帶發生劈裂，導致在費米能級處，自旋向上和向下的電子態密度不同。

在雙電流模型中，假設自旋向上和向下的電子沿層面流動對應兩個互相獨立的導電通道，其中自旋向上的電子，其平均自由程遠大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的電子散射要遠小于自旋向下的電子，從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。

電阻應變式壓力傳感器

將電阻應變片粘貼在彈性元件特定表面上，當力、扭矩、速度、加速度及流量等物理量作用于彈性元件時，會導致元件應力和應變的變化，進而引起電阻應變片電阻的變化。電阻的變化經電路處理后的以電信號的方式輸出，這就是電阻應變片傳感器的工作原理。

電阻應變片應用的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。金屬電阻應變片又有絲狀應變片和金屬箔狀應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產生力學應變基體上，當基體受力發生應力變化時，電阻應變片也一起產生形變，使應變片的阻值發生改變，從而使加在電阻上的電壓發生變化。這種應變片在受力時產生的阻值變化通常較小，一般這種應變片都組成應變電橋，并通過后續的儀表放大器進行放大，再傳輸給處理電路（通常是 A/D 轉換和 CPU ）顯示或執行機構。

半導體應變片是利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件。半導體應變片需要粘貼在試件上測量試件應變或粘貼在彈元件上間接地感受被測外力。利用不同構形的彈元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯后小、體積小、耗電少等優點。

角度傳感器Ic應用優勢

有許多應用，特別是在汽車系統中，需要以好精度和高可靠性測量物體的水平運動。一些常見的解決方案基于電位計，LVDT（線性電壓差動變壓器）和帶磁場傳感器的磁鐵。基于電位計的解決方案易于機械磨損，LVDT大而且昂貴，并且磁鐵加傳感器解決方案通常精度較低。

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然而，通過使用磁場角度傳感器IC代替傳統的單軸傳感器，幾乎消除了與磁鐵和傳感器解決方案相關的主要誤差源，從而實現了低成本，高可靠性和好精度的線性方法滑動位置感應。