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一種濕法制備技術利用珍珠巖尾礦制備珍珠巖拋光磨料。與傳統干法工藝相比 ,珍珠巖拋光磨料產品產率從 3 0 %提高到 70 %以上 ,顆粒粒度小于 15 0 μm ,而 0 -4 4μm粒級含量不到 10 %。粒度分布更加合理 ,完全滿足玻殼行業及相關行業的要求。濕法制備珍珠巖拋光磨料是珍珠巖加工業充分合理利用珍珠巖尾礦的十分有效的利用途徑。 提高硬質合金刀片前刀面化學機械拋光(CMP)的材料去除率和表面質量,采用6種不同硬度磨料(金剛石、碳化硼、碳化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化硅)對硬質合金刀片CMP加工,采用表面粗糙度測量儀和超景深三維顯微系統觀察拋光前后刀片的表面形貌,探討硬質合金刀具CMP材料去除機制。實驗結果表明:碳化硼磨料因粒徑分散性大,造成硬質合金刀片表面劃痕較多;低硬度的氧化硅、氧化鋯、碳化硅磨料只能去除硬質合金刀片表面局部劃痕區域;接近硬質合金刀片硬度的氧化鋁磨料,可獲得較好的表面質量;硬度的金剛石磨料在CMP加工時,在硬質合金刀片表面上產生機械應力,促進化學反應,獲得比其他磨料更高的材料去除率和更好的表面質量。因此,在硬質合金刀片粗加工時可以選用氧化鋁磨料,精加工時選用金剛石磨料。

對InP晶片進行了集群磁流變拋光實驗,研究了拋光過程中磨料參數（類型、質量分數和粒徑）對InP材料去除速率和表面粗糙度的影響。實驗結果表明,InP晶片的去除速率隨磨料硬度的增加而變大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的綜合影響;在選取的金剛石、SiC、Al2O3和SiO2等4種磨料中,使用金剛石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP拋光后的表面質量。隨著SiC質量分數的增加,InP去除速率逐漸增加,但表面粗糙度先減小后增大。當使用質量分數4%、粒徑3μm的SiC磨料對InP晶片進行拋光時,InP去除速率達到2.38μm/h,表面粗糙度從原始的33 nm降低到0.84 nm。

產品用途分析：珍珠巖磨料主要用于電視機玻殼、電腦顯示屏、光學玻璃儀器及玻璃工藝飾品的拋光。在某些計算機顯示屏生產中，為了降低顯示屏表面的反光度，保護操作人員的視力，需要對顯示屏玻殼表面進行打磨。電腦顯示屏玻殼的摩氏硬度一般在6.8一7.0之間，珍珠巖的摩氏硬度為5一6，硬度中等，非常適于玻殼的研磨。將珍珠巖磨料加到玻屏表面在打磨機上施加一定的壓力，與砂紙一起對玻屏表面進行機械打磨，使玻殼表面的光澤度達到適當的程度。【中信拋光磨料】釔鋁石榴石(YAG)是一種應用廣泛的硬脆難加工材料,其拋光過程工藝復雜、效率低。固結磨料拋光技術具有平坦化能力優、對工件形貌選擇性高、磨料利用率高等優點。試驗采用固結磨料拋光YAG晶體,研究固結磨料墊的基體硬度和金剛石磨粒尺寸對YAG晶體的材料去除率和表面質量的影響。結果表明:當基體硬度適中為Ⅱ、金剛石磨粒尺寸3～5μm時,固結磨料拋光YAG晶體效果優,其材料去除率為255 nm/min,表面粗糙度S_a值為1.79 nm。

隨著光學、光電子學及數碼產品的蓬勃發展，K9玻璃已在諸多領域得到了廣泛的應用。由于K9玻璃屬于硬脆材料，在加工過程中極易發生脆性破壞，傳統加工技術難以獲得超光滑高質量的表面。近年來，固結磨料化學機械拋光技術以其工藝可控性強、加工效率高、加工成本低以及綠色環保等一系列優點受到越來越多的關注。本文采用顯微硬度方法分析了化學機械研拋中研拋液對K9玻璃表層硬度的影響，采用失重法對固結磨料研拋K9玻璃的材料去除過程中的機械與化學作用進行了分離，利用正交實驗的方法研究分析了各加工參數對K9玻璃研磨和拋光的材料去除率及三維輪廓表面粗糙度影響，優化K9玻璃的研磨拋光工藝。本文所完成的主要工作和研究成果如下：（1）研究了研拋液對K9玻璃的化學作用采用去離子水和研拋液分別浸泡K9玻璃，測量并比較浸泡后K9的維氏硬度和壓痕對角線長度，根據所測數值進一步計算出K9玻璃表面生成的變質層厚度，驗證了研拋液對K9玻璃的化學作用和變質層厚度隨浸泡時間的變化規律。研究表明：研拋液對K9玻璃有比較劇烈的化學作用，可以在K9玻璃表面形成變質層，隨著浸泡時間的延長變質層的厚度逐漸增加但增加趨勢逐漸減緩