技術參數：

1、名    稱：     半導體激光治療儀

2、激光媒介：     GaAlAs -- 半導體

3、輸出波長：     主波長808nm±10nm  輔助波長650nm±10nm               

4、輸出模式：     連續 或 間歇

5、工作方式：     雙路輸出，獨立控制，非接觸式，體表垂直照射

*6、激光器功率：①整機輸出功率：面照治療頭為：500mw×3（808激光）+5mw                       ×80（650激光）=1900mw  點照射治療頭為：500mw×1（808激光）+5mw                       ×6（650激光）=530mw  輸出總功率為：2430mw

②功率：面照射治療頭：1000mw×3+10mw×80

點照射治療頭：1000mw×1+10mw×6

③單個激光器輸出功率500mw，調節范圍20-500mw，步進1mw，顯示值于工作激光實際輸出允差為±20%。

*7、照射面積：①面照治療頭：24cm±0.2cm×14cm±0.2cm 面照射面積：≥33600mm2

②點照治療頭：3.3cm±0.2cm，點照射面積：≥66mm2

科爾達供應半導體激光治療儀/冷激光