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TMR/超導復合式磁傳感器

1995 年，由美國麻省理工學院和日本東北大學的兩個研究小組獨立發現，將兩個磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開會產生很大的磁電阻效應(室溫下達到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構成的結構，稱為磁性隧道結(MTJ)。在MTJ 中，中間的絕緣層很薄(幾個納米)，使得可以有大量電子隧穿通過。通過隧道結的電流依賴于兩個磁性層的磁化強度矢量的相對取向。這種隧穿電流隨外磁場變化的效應被稱為隧道磁電阻(TMR)效應。隧道磁電阻效應可以由Julliere 雙電流模型解釋。假定電子在隧穿過程中自旋不發生翻轉，并且隧穿電流正比于費米面附近電子的態密度。當MTJ兩側鐵磁層處于平行排列時，左側的少子電子向右側的少子空態隧穿，左側的多子電子向右側的多子空態隧穿，MTJ 處于低阻態；當MTJ兩側鐵磁層處于反平行排列時，左側的少子電子向右側的多子空態隧穿，而左側的多子電子向右側的少子空態隧穿，MTJ 呈現高阻態。

由于貼合TMR器件與超導磁放大器的低溫膠過厚導致TMR—超導磁放大器間距過大(50 μm)，使得TMR/超導復合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導復合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計算表明，減小TMR—超導磁放大器間距將使得磁場放大倍數呈指數形式上升；若能將TMR—超導磁放大器間距降低至0.5 μm以內，磁場放大倍數可接近1000 倍。今后可通過熱壓印等技術減小TMR—超導磁放大器間距，從而提高器件的靈敏度。

機器人傳感器

機器人傳感器是一種能將機器人目標物特性(或參量)變換為電量輸出的裝置，機器人通過傳感器實現類似于人類的知覺作用。

機器人傳感器分為內部檢測傳感器和外界檢測傳感器兩大類。內部檢測傳感器是在機器人中用來感知它自己的狀態，以調整和控制機器人自身行動的傳感器。它通常由位置、加速度、速度及JR力傳感器組成。外界檢測傳感器是機器人用以感受周圍環境、目標物的狀態特征信息的傳感器.從而使機器人對環境有自校正和自適應能力。外界槍側傳感器通常包括觸覺、接近覺、視覺、聽覺、嗅覺、味覺等傳感器。機器人傳感器是機器人研究中必不可缺的重要課題，需要有更多的、性能更好的、功能更強的、集成度更高的傳感器來推動機器人的發展。

CMOS傳感器你知道多少

CMOS傳感器采用普通半導體電路常用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、本錢低等特性，近幾年在寬動態、低照度方面展開疾速。CMOS即互補性金屬氧化物半導體，主要是應用硅和鍺兩種元素所做成的半導體，經過CMOS上帶負電和帶正電的晶體管來完成基本的功用。這兩個互補效應所產生的電流即可被處置芯片記載和解讀成影像。