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藍(lán)寶石具有高硬度（莫氏硬度9）、優(yōu)異的耐腐蝕性以及良好的光學(xué)和機(jī)械性能,因此廣泛應(yīng)用于固態(tài)激光器,精密抗摩擦軸承,紅外窗口,半導(dǎo)體芯片基板等高科技領(lǐng)域。隨著科技迅猛的發(fā)展,對(duì)藍(lán)寶石表面平整度要求越來(lái)越高,而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前普遍的表面加工技術(shù),是公認(rèn)的可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化拋光方法,所以用化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)藍(lán)寶石表面的超精密拋光成為研究的熱點(diǎn)。在CMP中,拋光漿料和拋光磨料扮演著重要角色,對(duì)藍(lán)寶石的拋光質(zhì)量有直接的影響。本文研究了將氧化鋁磨料分散于硅溶膠中獲得了穩(wěn)定性及拋光性能均較好的拋光漿料。采用均相沉淀法制備出粒徑分別為320nm、500nm、1.0μm左右的球形氧化鋁磨料,采用直接沉淀法制備出粒徑320nm的不規(guī)則形貌的氧化鋁磨料,并將不同粒徑、形貌的氧化鋁對(duì)藍(lán)寶石進(jìn)行拋光,得出粒徑為1.0μm的球形氧化鋁具有較佳的拋光效果。通過(guò)掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線衍射（XRD）等手段對(duì)樣品的形貌、物象等進(jìn)行表征。通過(guò)Zeta電位對(duì)拋光漿料的分散穩(wěn)定性進(jìn)行檢測(cè),通過(guò)原子力顯微鏡（AFM）對(duì)藍(lán)寶石拋光前后的表面粗糙度進(jìn)行檢測(cè)。主要結(jié)果如下:將氧化鋁磨料分散在硅溶膠中,體系的穩(wěn)定

一種濕法制備技術(shù)利用珍珠巖尾礦制備珍珠巖拋光磨料。與傳統(tǒng)干法工藝相比 ,珍珠巖拋光磨料產(chǎn)品產(chǎn)率從 3 0 %提高到 70 %以上 ,顆粒粒度小于 15 0 μm ,而 0 -4 4μm粒級(jí)含量不到 10 %。粒度分布更加合理 ,完全滿足玻殼行業(yè)及相關(guān)行業(yè)的要求。濕法制備珍珠巖拋光磨料是珍珠巖加工業(yè)充分合理利用珍珠巖尾礦的十分有效的利用途徑。 提高硬質(zhì)合金刀片前刀面化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的材料去除率和表面質(zhì)量,采用6種不同硬度磨料(金剛石、碳化硼、碳化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化硅)對(duì)硬質(zhì)合金刀片CMP加工,采用表面粗糙度測(cè)量?jī)x和超景深三維顯微系統(tǒng)觀察拋光前后刀片的表面形貌,探討硬質(zhì)合金刀具CMP材料去除機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:碳化硼磨料因粒徑分散性大,造成硬質(zhì)合金刀片表面劃痕較多;低硬度的氧化硅、氧化鋯、碳化硅磨料只能去除硬質(zhì)合金刀片表面局部劃痕區(qū)域;接近硬質(zhì)合金刀片硬度的氧化鋁磨料,可獲得較好的表面質(zhì)量;硬度的金剛石磨料在CMP加工時(shí),在硬質(zhì)合金刀片表面上產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),獲得比其他磨料更高的材料去除率和更好的表面質(zhì)量。因此,在硬質(zhì)合金刀片粗加工時(shí)可以選用氧化鋁磨料,精加工時(shí)選用金剛石磨料。

應(yīng)用空間圓弧和空間樣條曲線兩種規(guī)則曲線的插補(bǔ)算法,對(duì)多自由度磨料水射流噴嘴在笛卡爾坐標(biāo)系中拋光異型陶瓷零件進(jìn)行路徑規(guī)劃。通過(guò)建立理想狀態(tài)下的微細(xì)磨料水射流射流束拋光數(shù)學(xué)模型,采用矢量法對(duì)復(fù)雜的運(yùn)動(dòng)軌跡利用圓弧和樣條曲線來(lái)逼近,在MATLAB軟件環(huán)境下建立了磨料水射流復(fù)雜曲面的拋光運(yùn)動(dòng)數(shù)學(xué)模型,并對(duì)其進(jìn)行數(shù)值模擬。模擬結(jié)果表明,運(yùn)動(dòng)數(shù)學(xué)模型所得到的運(yùn)動(dòng)軌跡符合射流束拋光要求,從而證明了該模型的有效性和先進(jìn)性,為深入研究微細(xì)磨料水射流拋光軌跡優(yōu)化提供了重要的理論基礎(chǔ)。 基于溶膠-凝膠法所制備而成的生物高分子柔性拋光膜在晶圓拋光加工過(guò)程中具有高精度、低損傷等優(yōu)點(diǎn)。但由于金剛石是由共價(jià)鍵結(jié)合而成的晶體,它與生物高分子材料結(jié)合較差,導(dǎo)致在加工過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)磨料脫落等問(wèn)題,因此如何提高磨料與基體的界面結(jié)合以及如何測(cè)量磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度成為目前所需要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。本文采用了兩種界面結(jié)合強(qiáng)度的測(cè)量表征方法,并基于兩種測(cè)量方式評(píng)價(jià)了不同的表面處理方式對(duì)于界面結(jié)合強(qiáng)度的影響,考慮了添加偶聯(lián)劑、鍍覆金屬鈦、鍍覆金屬鈦后表面氧化、涂覆羥基氧化鐵等表面處理方式的影響,同時(shí)研究了磨料粒度對(duì)界面結(jié)合強(qiáng)度的影響。種方法是直接拉拔法,通過(guò)粘結(jié)劑將金剛石磨料直接從生物高分子基體中拉拔出,測(cè)定拉拔時(shí)所需要的拉拔力,并測(cè)定磨料與基體的接觸面積,從而計(jì)算得到磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度。第二種方法是基于拋光膜的拉伸強(qiáng)度來(lái)表征磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度,通過(guò)分析可以知道,磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度變化會(huì)直接導(dǎo)致生物高分子基體材料的拉伸強(qiáng)度發(fā)生變化,因此本論文嘗試使用拋光膜的拉伸強(qiáng)度來(lái)直接表征磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度。通過(guò)直接拉拔法對(duì)磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量,發(fā)現(xiàn)隨著磨料粒度的增大...

對(duì)InP晶片進(jìn)行了集群磁流變拋光實(shí)驗(yàn),研究了拋光過(guò)程中磨料參數(shù)（類型、質(zhì)量分?jǐn)?shù)和粒徑）對(duì)InP材料去除速率和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,InP晶片的去除速率隨磨料硬度的增加而變大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的綜合影響;在選取的金剛石、SiC、Al2O3和SiO2等4種磨料中,使用金剛石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP拋光后的表面質(zhì)量。隨著SiC質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加,InP去除速率逐漸增加,但表面粗糙度先減小后增大。當(dāng)使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)4%、粒徑3μm的SiC磨料對(duì)InP晶片進(jìn)行拋光時(shí),InP去除速率達(dá)到2.38μm/h,表面粗糙度從原始的33 nm降低到0.84 nm。