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IDM模式也就是垂直整合模式。與“無晶圓廠－芯片外包代工模式”相對的半導體設計制造模式為“垂直整合模式”（英語：IDM,IntegratedDesignandManufacture），即一個公司包辦從設計、制造到銷售的全部流程，需要雄厚的運營資本才能支撐此營運模式，如英特爾和三星。三星電子一方面是垂直整合模式，能制造自己設計的芯片；另一方面，它也扮演代工廠的角色，同時給蘋果公司為iPhone、iPad設計的處理器提供代工服務。
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摻雜特性半導體的電導率并不是一成不變的，它會隨著摻入雜質元素、受熱、受光照、受到外力等種種外界條件，而在絕緣體和金屬之間電導率區間內發生變化，這些特性使得半導體衍生出了較為豐富的應用場景一種是摻入Ⅴ族元素（常用的有磷P、As），V族元素相比Ⅳ族的外層電子多出一個，多出的電子能夠作為導電的來源，這種摻雜手段被稱為N（Negative）型摻雜另一種是摻入Ⅲ族元素（常用的有硼B、BF2），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外層電子少一個，這種缺少電子的空位被稱為空穴，空穴同樣能夠導電，對應的摻雜手段被稱為P型摻雜PN結把PN這兩種半導體面對面放一起會咋樣？不用想也知道，N型那些額外的電子必然是跑到P型那些空位上去了，一直到電場平衡為止，這就是大名鼎鼎的“PN結”(動圖來自《科學網》張云的博文)PN結具有單向導電性，電流只能從這一頭流向另一頭，無法從另一頭流向這一頭如果將PN結加正向電壓，即P區接正極，N區接負極，大多數載流子將在外電場力的驅動下源源不斷地通過PN結，形成較大的擴散電流，稱為正向電流如果加個反向的電壓，多數載流子擴散運動減弱，沒有正向電流通過PN結，只有少數載流子的漂移運動形成了反向電流。

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面接觸型二極管面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流(幾安到幾十安)，主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開關。平面型二極管平面型二極管是一種的硅二極管，得名于半導體表面被制作得平整。，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。在半導體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因PN結合的表面被氧化膜覆蓋，穩定性好和壽命長。它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。