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IC傳感器

IC 傳感器可在-55°C至 150°C的溫度范圍內工作 -- 精選的幾種IC傳感器工作溫度可高達 200°C。有各種類型的集成式IC傳感器，不過四種常見的集成式IC傳感器當屬模擬輸出器件、數字接口器件、遠 程溫度傳感器以及那些具有溫控器功能的集成式IC傳感器(溫度開關)。模擬輸出器件(一般是電壓輸出，但有些也具有電流輸出)在其需要ADC來對輸出信號 進行數字化處理時像無源解決方案。數字接口器件常使用兩線接口(I2C或PMBus)，并具有內置的ADC。

除了也包括一個局部溫度傳感器外，遠程溫度傳感器還具有一路或多路輸入以便監測遠程二極管溫度 -- 它們常被置于高度集成的數字IC(例如，處理器或現場可編程門陣列【FPGA】)中。當達到溫度閾值時，溫控器可提供簡單的警報。

使用IC傳感器有許多好處，包括:功耗低;可提供小型封裝產品(有些尺寸小到0.8mm×0.8mm);還可在某些應用中實現低器件成本。此外，由于IC傳 感器在生產測試過程中都經過校準，因此沒有必要進一步校準。它們通常用于健身跟蹤應用、可佩戴式產品、計算系統、數據記錄器和汽車應用。

3GMR/超導復合式磁傳感器

磁電阻效應是對于一些磁性材料，當施加外磁場時，材料的電阻會發生變化的效應。這種磁電阻效應次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發現。這一發現的材料磁阻變化率很小，只有1%，此效應即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜，并在其中發現了磁阻變化率達到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應被稱為巨磁電阻(GMR)效應。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態下與磁場的作用不同導致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當鐵磁層的磁矩互相平行時，載流子與自旋有關的散射，材料具有的電阻。而當鐵磁層的磁矩為反平行時，載流子與自旋相關的散射強，材料的電阻。對于GMR效應可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中，不同自旋的電子能帶相同，但是在鐵磁金屬中，不同自旋的能帶發生劈裂，導致在費米能級處，自旋向上和向下的電子態密度不同。

在雙電流模型中，假設自旋向上和向下的電子沿層面流動對應兩個互相獨立的導電通道，其中自旋向上的電子，其平均自由程遠大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的電子散射要遠小于自旋向下的電子，從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。

陶瓷壓力傳感器

抗腐蝕的陶瓷壓力傳感器沒有液體的傳遞，壓力直接作用在陶瓷膜片的前表面，使膜片產生微小的形變，厚膜電阻印刷在陶瓷膜片的背面，連接成一個惠斯通電橋（閉橋），由于壓敏電阻的壓阻效應，使電橋產生一個與壓力成正比的高度線性、與激勵電壓也成正比的電壓信號，標準的信號根據壓力量程的不同標定為2.0 / 3.0 / 3.3 mV/V等，可以和應變式傳感器相兼容。通過激光標定，傳感器具有很高的溫度穩定性和時間穩定性，傳感器自帶溫度補償0 ～70℃，并可以和絕大多數介質直接接觸。

陶瓷是一種公認的高彈性、抗腐蝕、抗磨損、抗沖擊和振動的材料。陶瓷的熱穩定特性及它的厚膜電阻可以使它的工作溫度范圍高達-40 ～135 ℃，而且具有測量的、高穩定性。電氣絕緣程度2kV，輸出信號強，長期穩定性好。