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金屬濺射靶材

中諾新材定制加工不同尺寸，不同純度的靶材，產品具備純度高。結構致密，晶粒度小的特點，滿足客戶對高品質靶材的需求。

高純金屬靶材，純度99.9-99.9999%。可提供圓靶，矩形靶，管靶等。

常規金屬靶材Al，Cu，Ti，Ni，Co，V，W，Mo，Ta，Ni

金屬靶材Ag Au Pt Pd Ru Rh Ir

稀土金屬靶材La Ce Pr Nd Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu

非金屬靶材B C Si Ge Se Te

合金靶材Ni-Cr Ni-V Ni-Ti W-Ti Ti-Al Cr-Al NiCrAlY……

以上產品純度99.9-99.9999%。可提供圓靶，矩形靶，管靶等。

掃描電鏡靶材

掃描電鏡（SEM）常用金、鉑、銀等靶材進行導電處理，來降低樣品荷電現象，以提高圖像質量，保持樣品真實的表面形貌特征。中諾新材可定制加工不同規格的電鏡用靶材，現貨產品尺寸如下：

高純金 靶材 99.99%φ58*0.12mm  φ57*0.1mm

高純鉑 靶材 99.99%φ57*0.1mm   φ58*0.12mm

高純銀 靶材 99.99%φ58*0.2mm   φ57*0.1mm

高純鈀 靶材 99.99%       φ57*0.1mm  φ58*0.2mm

高純鐵 靶材 99.99%φ57*0.1mm   φ58*0.12mm

高純鉬 靶材 99.99%φ58*0.2mm

高純銅 靶材 99.99%       φ57*0.1mm   φ58*0.2mm

產品純度高，價格公道，發貨及時。

高純的單晶硅是重要的半導體材料。產品技術含量高、質量穩定、創新性強，廣泛應用于特種合金熔煉，電子半導體，平板顯示、光磁記錄介質、太陽能光伏、功能性鍍膜等領域，能滿足您在科學研究、工業研發生產各個階段的綜合需求。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結合在一起形成p-n結，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。在開發能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管、場效應管和各種集成電路(包括人們計算機內的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。