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高純金屬蒸發材料

      蒸發作為PVD技術的一種，被廣泛應用于半導體行業中的芯片背面金屬化工藝，作為專業的PVD薄膜材料供應商，中諾新材可以提供各種規格的全系列高純金屬蒸發材料。同時，這些材料亦廣泛應用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質晶體制備等領域。

部分產品如下：

材料純度(%)狀態

高純鋁(Al)99.999-99.9999顆粒 粉末 絲狀 片狀  

高純銅(Cu)99.99-99.9999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鈦(Ti)99.5-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鎳(Ni)99.9-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉻(Cr)99.5-99.99顆粒 粉末

高純鈷(Co)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鐵(Fe)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鎂(Mg)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉿(Hf)99.95顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鋯(Zr)99.5-99.95顆粒 粉末 塊狀

高純銦(In)99.995-99.9999,顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉭(Ta)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀，片狀

高純鈮(Nb)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉛(Pb)99.99-99.999顆粒 粉末 片狀

高純硒(Se)99.99-99.9999顆粒 粉末

高純碲(Te)99.99-99.9999顆粒 粉末

高純鍺(Ge)99.9999顆粒 粉末 片狀

高純硅(Si)99.9999顆粒 粉末 片狀

高純錫(Sn)99.99-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鋅(Zn)99.99-99.9999顆粒 粉末 片狀

中諾新材可提供的常規陶瓷靶材如下：

氧化鋁靶 Al2O3 99.99%

氧化鉿靶 HfO2 99.99%

氧化鎂靶 MgO 99.99%

氧化硅靶 SiO2 99.999%

氧化鉭靶 Ta2O5 99.99%

氧化鈦靶 TiO2 99.99%

氧化鋅靶 ZnO 99.99%

氟化鎂靶 MgF 99.99%

硫化鋅靶 ZnS 99.99%

氮化鈦靶 TiN 99.9%

氮化鋁靶 AlN 99.9%

氮化硼靶 BN 99.9%

碳化硅靶 SiC 99.9%

常備現貨的靶材尺寸：

φ50.8mm  φ60mm

φ80mm,

φ100mm φ101.6mm

其它尺寸圓靶、方靶可定制

陶瓷靶材質脆，受熱不均易碎，推薦綁定銅背靶，以增強靶材導熱性能，提供靶材利用率

中諾新材可根據您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結，常壓燒結等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%