

深圳友尚存儲科技有限公司
主營產品: DRAM動態隨機存儲, SRAM靜態隨機存儲, NAND閃存, NOR閃存, eMCP嵌入式存儲, eMMC嵌入式存儲, FRAM鐵電存儲, FLASH閃存, MRAM磁性隨機存儲
SD7DP28C-8G-閃迪NAND閃存-原裝現貨
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SD7DP28C-8G SanDisk(閃迪)NAND閃存 原廠原裝
品牌:SanDisk(閃迪)
規格型號:SD7DP28C-8G
英文名稱:NAND Flash
中文名稱:快閃存儲器
存儲格式:NAND
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA
原廠包裝:托盤
零件狀態:批量生產
NAND閃存概述
NAND閘高速緩存利用穿隧注入(Tunnel injection)寫入,以及穿隧釋放(Tunnel release)抹除。NAND Flash在今天的U盤與多數儲存卡上都可看到。東芝在1989年發表了NAND Flash架構,這種存儲器的訪問方式類似硬盤、儲存卡之類的區塊性存儲設備,每個區塊由數個頁所構成。一般來說這些頁的大小為512或2048或4096字節。在各個頁之間彼此的連接區域會有幾個字節(一般而言是數據大小的1/32),這些空間用于存儲錯誤修正碼的校驗和。
讀取與寫入動作可以以“頁”為單位偏移量進行,抹除動作只能以“區塊”為單位偏移量進行。NAND Flash還有一項限制就是區塊內的數據只能序列性的寫入。操作次數(Number of Operations, NOPs)則代表“頁”可以被寫入的次數。當前MLC的NOPs是1;而SLC則是4。NAND Flash也需要由設備驅動程序軟件或分離的控制器芯片來進行壞區管理,例如SD卡內部便包含實行壞區管理與耗損平衡的電路。當一個邏輯區被高端軟件訪問時,邏輯區對應到實體區的工作則由驅動程序或控制器進行。
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