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中諾新材可根據您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結，常壓燒結等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%

靶材綁定服務1

綁定服務Bonding

為了避免脆性金屬、合金、氧化物等易裂材料在使用過程中裂靶，中諾新材可為客戶提供綁定（Bonding）服務，把靶材綁定在銅背板上，除了具有保護靶材免于運送或者拿取中的意外開裂，也可確保靶材的冷卻及電接觸良好，并可改善靶材使用時機械強度不足的問題或解決大尺寸面積靶材受限的問題。脆性，難熔的金屬材料，我公司采用高純度粉末為原料，通過熱壓、燒結、熱等靜壓等工藝成錠，經過熱處理，機械處理及精密的機加工工藝，制得晶粒細小（其平均晶粒尺寸<。一般靶材綁定用的背板為金屬銅， 金屬鈦，金屬鉬和不銹鋼，背板是在濺射時支撐靶材，以防靶材在濺射中出現開裂等問題，提高靶材的使用率和使用壽命

高純的單晶硅是重要的半導體材料。高溫合金，高熵合金，非晶合金等各種特殊要求合金對熔煉原料的要求越來越高。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結合在一起形成p-n結，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。在開發能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管、場效應管和各種集成電路(包括人們計算機內的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。