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中諾新材采用高純化合物粉末為原料，通過常壓燒結法、真空熱壓法以及熱等靜壓法等工藝成型，經過精密的機械加工工藝，制得晶粒細小、組織均勻、致密度高的高品質陶瓷化合物靶材，被廣泛應用于太陽能光伏、平面顯示、玻璃鍍膜等領域。

中諾新材可根據您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結，常壓燒結等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

X射線衍射儀

中諾新材分析測試設備——X射線衍射儀                                              

  Rigaku 靶材晶向比例分析系統（XRD）可直接用于檢測直徑在500mm以下的固體金屬材料的內部織構。X射線是一種波長（0.06-20nm）很短的電磁波，當X 射線照射晶態結構時，將受到晶體點陣排列的不同原子或分子所衍射。當用波長為λ的單色X射線照射到兩個晶面間距為d的晶面時會發生布拉格定律衍射，即2dsinθ=nλ（n為整數）θ稱為衍射角（入射或衍射X射線與晶面間夾角）。全程電子掃描槍系統公司所有產品、設備、人員均有自己的ID，產品制造全過程使用BarCode掃描。應用X射線在晶體中的衍射現象。特征X射線作用于安裝在測角儀上的晶體后產生衍射點，通過檢測器記錄衍射點的強度數據。通過計算機控制完成衍射的自動尋峰、測定晶胞參數、收集衍射強度數據，統計系統消光規律，確定空間群等。進而計算晶體結構。

分析檢測設備5

中諾新材分析檢測設備——ICP-AES 電感耦合等離子體發射光譜儀                      

  icp-aes分析儀由于采用了計算機技術，儀器的智能化、屏幕顯示的圖和文及數據的采集、處理等都達到了目前國內先進水平，是諸多行業理想的分析儀器。半導體化合物材料我們可提供半導體行業所需常用氧化物，硒化物，銻化物，硫化物，碲化物等。具有分析速度快，測試范圍廣、基體效應小、分析動態范圍小（工作曲線的直線范圍可達4-5個數量級）等優點。主要用于微量元素的分析，可分析的元素為大多數的金屬和硅、磷、硫等少量的非金屬，共72種。廣泛地應用于質量控制的元素分析，超微量元素的檢測